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集显微观察、光谱采集、光致发光 PL、显微荧光、快速成像、电致发光 EL 与变温扩展于一体，适用于半导体材料、二维材料、发光器件、量子点、钙钛矿及微区发光样品的高灵敏显微光谱测量。
系统将显微测量与光谱测量高效率耦合，内置观察相机，可实时观察样品；激发波长可按需求配置，探测器可扩展至 PMT、CCD、EMCCD、IR MCT，覆盖从紫外、可见到近红外/红外的多类发光表征。
系统可围绕发光峰位、强度、峰宽、空间分布、温度依赖、电场激发与器件区域响应进行综合分析。
在显微视场内选择微区进行荧光光谱采集，适合异质结、量子点、薄膜、晶圆微区发光分析。
通过振镜或位移台扫描获得发光强度、峰位、半峰宽等二维分布，分析材料均匀性与缺陷区域。
可扩展器件电致发光测试，用于 LED、OLED、半导体器件和微纳发光器件表征。
支持常温或低温条件下发光光谱测试，适合半导体缺陷、量子点和温度依赖发光研究。
通过观察相机完成样品定位，选择激发波长与采集模式，再进行点光谱、线扫描或二维 Mapping，最终输出光谱、图像和定量参数。
适用于 III-V 族半导体、氮化镓、量子点、钙钛矿等材料的缺陷、杂质、带隙和发光特性研究。
通过 PL 成像获取外延层晶体质量、成分均匀性和区域发光差异，适合工艺评估与缺陷定位。
适用于 LED、OLED、光电探测器、微腔、纳米线、二维材料器件等局域发光与器件性能研究。
